Seperti prosesor yang menggunakan technology node yang makin kecil agar memungkinkan sejumlah keuntungan seperti kepadatan transistor yang bertambah, begitu pula dengan memori utama yang menggunakan DRAM. Makin hari, chip DRAM juga menggunakan technology node yang makin kecil. Nah, baru saja Samsung mengumumkan keberhasilannya mengembangkan chip DRAM DDR4 kelas 10 nm generasi ketiga (disebut juga dengan 1z-nm) yang berkapasitas 8 Gb, dan diklaim sebagai yang pertama di industri. Generasi ketiga ini disebutkan mampu membantu meningkatkan kapasitas produksi DRAM DDR4-nya sebesar 20% dibandingkan generasi kedua.
"Komitmen kami untuk menembus berbagai tantangan terbesar di industri selalu mendorong kami menuju inovasi yang lebih besar. Kami senang telah meletakkan lagi dasar untuk produksi yang stabil dari DRAM generasi berikutnya yang menjamin kinerja dan efisiensi energi tertinggi," ujar Jung-bae Lee (Executive Vice President of DRAM Product & Technology, Samsung Electronics). "Sejalan dengan kami membangun jajaran DRAM 1z-nm kami, Samsung siap untuk mendukung konsumen global kami dalam kegiatan mereka mengembangkan aneka sistem canggih dan membolehkan proliferasi dari pasar memori premium," sebutnya lagi.
Keberhasilan menggunakan technology node yang lebih kecil (1z-nm disebut sebagai technology node terkecil untuk memori saat ini) tentu menarik. Pasalnya peningkatan technology node ke ukuran yang makin kecil dinilai setidaknya oleh sebagian pihak sudah mendekati batasnya. Kini makin sulit untuk beralih ke technology node berikutnya dibanding peralihan sebelumnya.
Tentunya butuh waktu antara keberhasilan mengembangkan chip DRAM DDR4 kelas 10 nm generasi ketiga berkapasitas 8 Gb dengan produksi massalnya. Samsung menargetkan produksi massal dari chip DRAM generasi baru ini pada semester kedua tahun 2019. Chip DRAM DDR4 kelas 10 nm generasi ketiga berkapasitas 8 Gb tersebut ditujukan untuk menenagai server dan PC kelas atas generasi berikutnya yang akan diluncurkan pada tahun 2020.
Keberhasilan Samsung mengembangkan chip DRAM kelas 10 nm generasi ketiga juga diharap bisa membuka jalan untuk mempercepat transisi DRAM ke antarmuka berikutnya seperti DDR5. Diharapkan pula produk selanjutnya dari DRAM kelas 10 nm generasi ketiga bisa memiliki kapasitas dan kinerja yang lebih tinggi lagi.