Technology node yang makin kecil pada suatu cip biasanya menawarkan keunggulan dibandingkan technology node sebelumnya yang lebih besar. Keunggulan itu seperti densitas yang lebih tinggi maupun konsumsi daya yang lebih hemat. Tak heran para produsen semikonduktor berusaha untuk menghadirkan produknya dengan technology node yang makin kecil, seperti halnya Micron. Baru-baru ini Micron mengumumkan dimulainya produksi massal dari produk DRAM DDR4-nya yang berkapasitas 16 Gb dan menggunakan technology node 1z nm. Micron mengklaim sebagai yang pertama melakukan hal tersebut di dunia.
"Pengembangan dan produksi massal dari node DRAM ukuran fitur terkecil industri adalah sebuah bukti terhadap kemampuan engineering dan manufaktur kelas dunia Micron, khususnya pada sebuah waktu ketika scaling dari DRAM menjadi sangat rumit sekali," ujar Scott DeBoer (Executive Vice President, Technology Development, Micron Technology).
Sekadar informasi, 1z nm merujuk pada belasan nanometer. Namun, meski 1x nm dan 1y nm juga sama-sama merujuk pada belasan nanometer, 1z nm merujuk pada ukuran yang lebih kecil dari 1y nm. Sementara, 1y nm sendiri merujuk pada ukuran yang lebih kecil dari 1x nm.
Selain densitas yang lebih tinggi dari produk dengan technology node 1y nm sebelumnya, cip DRAM 16 Gb DDR4 itu diklaim Micron juga menawarkan peningkatan kinerja dan biaya yang lebih rendah. Khusus untuk konsumsi daya, Micron pun mengklaim pengurangan sekitar 40% dibandingkan cip DRAM 8 Gb DDR4 generasi sebelumnya. Kapasitas lebih besar dan konsumsi daya lebih kecil tentu membantu memenuhi kebutuhan data center ke depannya yang makin melibatkan banyak data.