Samsung hari ini mengumumkan keberhasilannya mengapalkan 1 juta keping alias modul DRAM DDR4 yang menggunakan technology node kelas 10 nm dan EUV (extreme ultraviolet) lithography. Modul DDR4 baru yang berbasiskan EUV lithography tersebut telah menyelesaikan evaluasi dari konsumen Samsung secara global. Modul yang merupakan modul DRAM DDR4 kelas 10 nm dengan EUV lithography pertama di industri itu, juga membuka jalan terhadap proses EUV lithography yang lebih canggih lagi. Samsung sendiri merupakan yang pertama mengadopsi EUV lithography pada produksi DRAM untuk mengatasi tantangan sehubungan technology node yang makin kecil.
"Dengan produksi DRAM berbasiskan EUV baru kami, kami mendemonstrasikan komitmen penuh kami terhadap menyediakan solusi DRAM yang revolusioner dalam mendukung konsumen TI global kami," ujar Jung-bae Lee (Executive Vice President, DRAM Product & Technology, Samsung Electronics). "Kemajuan yang besar ini mengarisbawahi bagaimana kami akan terus berkontribusi kepada inovasi TI global melalui pengembangan tepat waktu dari proses teknologi terdepan dan produk memori generasi berikutnya untuk pasar memori premium," sebutnya lagi.
EUV lithography sendiri mengurangi langkah yang berulang pada multi-patterning dan meningkatkan akurasi pemolaan alias patterning. EUV lithography membolehkan kinerja yang lebih baik, yield yang lebih besar, dan waktu pengembangan yang lebih singkat.
Samung pun meyebutkan bahwa EUV lithography akan sepenuhnya digunakan pada berbagai generasi DRAM Samsung masa depan, dimulai dengan yang menggunakan technology node kelas 10 nm generasi keempat alias D1a atau kelas 14 nm yang sangat maju. Adapun 1 juta modul DDR4 dengan EUV lithography yang dikapalkan tersebut merupakan modul dengan technology node kelas 10 nm generasi pertama alias D1x.
Selain itu, Samsung turut merencanakan untuk segera berfokus ke DDR5 dan LPDDR5 pula. Pasalnya, Samsung meyakini bahwa tahun depan, pasar DDR5 dan LPDDR5 akan berekspansi.