Samsung baru saja memperkenalkan seri SSD terbarunya, 870 QVO, di dunia. Samsung 870 QVO merupakan SSD yang menggunakan QLC (quad-level cell) NAND flash memory sehingga bisa menawarkan kapasitas tinggi dengan harga lebih terjangkau dibandingkan yang menggunakan TLC (triple-level cell) NAND flash memory. Merupakan SSD dengan QLC NAND flash memory generasi kedua, Samsung 870 QVO tentunya menawarkan peningkatan dibandingkan generasi pertama. Samsung 870 QVO memiliki kapasitas lebih tinggi dan juga kecepatan maksimal lebih cepat dari generasi pertama tersebut.
"Melanjutkan peluncuran drive QLC konsumen Samsung pertama — 860 QVO — pada 2018, kami meluncurkan SSD QVO generasi kedua kami yang menawarkan kapasitas ganda 8 TB begitu pula peningkatan kinerja dan keandalan," ujar Dr. Mike Mang (Vice President of the Memory Brand Product Biz Team, Samsung Electronics). "Sang 870 QVO baru akan membolehkan lebih banyak konsumen untuk menikmati manfaat kinerja dari suatu SSD dengan kapasitas menyerupai HDD," sebut Dr. Mike Mang lebih lanjut.
Samsung 870 QVO hadir dengan kapasitas sampai 8 TB. Selain kapasitas 8 TB, Samsung 870 QVO memiliki pilihan kapasitas berupa 1 TB, 2 TB, dan 4 TB. Sementara, untuk kecepatannya, Samsung mengklaim SSD yang dilengkapi DRAM ini memiliki kecepatan sequential sampai 560 MB/s untuk pembacaan dan sampai 530 MB/s untuk penulisan, serta kecepatan random sampai 98.000 IOPS untuk pembacaan dan sampai 88.000 IOPS untuk penulisan.
Adapun Samsung 860 QVO memiliki pilihan kapasitas berupa 1 TB, 2 TB, dan 4 TB. Tidak terdapat opsi 8 TB. Kecepatannya pun umumnya sedikit lebih rendah. Samsung mengklaim 860 QVO memiliki kecepatan sequential sampai 550 MB/s untuk pembacaan dan sampai 520 MB/s untuk penulisan, serta kecepatan random sampai 97.000 IOPS untuk pembacaan dan sampai 89.000 IOPS untuk penulisan. Namun, Samsung juga mengklaim 870 QVO menawarkan kecepatan random dengan QD1 untuk pembacaan yang lebih tinggi sampai 13% dibandingkan 860 QVO. QD (queue depth) yang biasanya digunakan pada penggunaan umum sehari-hari adalah 1 dan 2 sehingga sewajarnya 870 QVO akan lebih cepat.
Seperti telah disebutkan, QLC NAND flash memory yang menyimpan 4 bit pada setiap selnya menawarkan kapasitas tinggi dengan harga lebih terjangkau dibandingkan yang menggunakan TLC NAND flash memory yang menyimpan 3 bit pada setiap selnya. Pasalnya, untuk jumlah sel yang sama, QLC NAND flash memory memungkinkan kapasitas yang lebih besar. Alhasil, untuk kapasitas yang sama, QLC NAND flash memory membutuhkan lebih sedikit sel; bisa dibilang lebih sedikit silikon. Namun, makin banyak bit yang disimpan pada sebuah sel, makin sulit mekanismenya sehingga makin rendah kecepatannya.
Pada SSD, kecepatan yang paling terpengaruh akan masalah yang disebutkan di atas biasanya adalah pada penulisan. Oleh karena itu, Samsung menerapkan pula SLC buffer seperti sebelum-sebelumnya pada 870 QVO. SLC buffer pada Samsung 870 QVO jumlahnya adalah variabel sesuai dengan ruang simpan yang tersisa. Adapun besarnya sampai 42 GB untuk varian 1 TB dan sampai 72 GB untuk varian lainnya.
Hadir dengan antarmuka SATA 6 Gbps dan 3D NAND flash memory alias V-NAND flash memory, Samsung 870 QVO juga diklaim memiliki daya tahan yang baik. SSD dengan form factor 2,5 inci ini memiliki TBW (terabyte written) dari 360 untuk yang 1 TB sampai 2.880 untuk yang 8 TB.
Samsung pun menyebutkan 870 QVO sudah mulai tersedia. Namun, tidak terdapat informasi lebih lanjut mengenai ketersediaannya di tanah air, begitu pula harganya.