SK hynix belum lama ini mengumumkan selesainya pengembangan NAND flash memory terkininya yang menggunakan 176 layer. Disebut SK hynix sebagai 4D NAND flash memory dengan 176 layer atau lapisan, contoh dari NAND flash memory tersebut telah dikirimkan ke berbagai vendor yang membuat NAND flash memory controller di dunia. Tujuannya tentu saja agar tidak lama lagi produk akhir seperti SSD yang menggunakan 4D NAND flash memory dengan 176 layer dari SK hynix itu bisa hadir di pasar dunia. Dengan layer yang lebih banyak dari sebelumnya, NAND flash memory terkini dari SK hynix diklaim menawarkan kepadatan bit yang lebih tinggi. Dengan kata lain, untuk luas penampang yang sama, 4D NAND flash memory dengan 176 layer dari SK hynix bisa menghadirkan kapasitas yang lebih tinggi.
"Industri NAND flash berjuang untuk meningkatkan aneka teknologi untuk integrasi yang tinggi dan produktivitas maksimum, keduanya dalam waktu yang sama," ujar Jung Dal Choi (Head of NAND Development di SK hynix). "SK hynix, sebagai pelopor dari 4D NAND, akan memimpin pasar NAND flash dengan produktivitas dan teknologi tertinggi di industri," imbuhnya.
Meski mengusung sebutan 4D NAND flash memory, NAND flash memory terkini dari SK hynix sebenarnya menyerupai 3D NAND flash memory, hanya saja sirkuit periferal yang biasanya terletak di samping jajaran sel memori dipindahkan ke bawah jajaran sel memori tersebut. Pendekatan yang meletakkan sirkuit periferal di bawah sel memori disebut dengan PUC (Peri. Under Cell). Selain itu, SK hynix menggunakan CTF (charge trap flash) dan bukannya FG (floating gate). SK hynix menyebutkan penggunaan istilah 4D adalah untuk menunjukkan pemanfaatan CTF dan PUC pada suatu NAND flash memory.
Dibandingkan 3D NAND flash memory yang menggunakan floating gate dan sirkuit periferal dengan peletakkan konvensional, SK hynix mengklaim 4D NAND flash memory-nya menawarkan kinerja yang lebih tinggi dan kepadatan yang lebih baik. Sebagai 4D NAND flash memory generasi ketiga, SK hynix mengklaim 4D NAND flash memory dengan 176 layer yang diumumkan menawarkan produktivitas bit yang lebih tinggi 35% dan kecepatan pembacaan sel yang lebih cepat 20%, keduanya dibandingkan generasi sebelumnya.
SK hynix 4D NAND flash memory dengan 176 layer yang diumumkan merupakan TLC (triple-level cell) dan memiliki kapasitas 512 Gb. SK hynix berencana untuk menghadirkan produk dengan kapasitas 1 Tb yang berbasiskan 4D NAND flash memory dengan 176 layer tesebut. Adapun SSD yang menggunakan SK hynix 4D NAND flash memory dengan 176 layer akan hadir setelah penggunaan SK hynix 4D NAND flash memory dengan 176 layer bersangkutan pada smartphone. Penggunaan SK hynix 4D NAND flash memory dengan 176 layer pada smartphone sendiri diperkirakan akan terjadi pada pertengahan tahun 2021.