Micron beberapa hari lalu mengumumkan telah memulai pengapalan secara massal produk DRAM terbarunya menggunakan technology node 1α nm di dunia. Technology node 1α nm tersebut merupakan technology node terdepan Micron. Technology node 1α nm sendiri merujuk pada technology node belasan nm (nanometer) yang lebih kecil dari technology node 1z nm — technology node generasi sebelumnya. Micron mengklaim DRAM dengan technology node 1α nm-nya menawarkan kepadatan yang lebih tinggi 40% dibandingkan DRAM dengan techonology node 1z nm-nya.
Kepadatan yang lebih tinggi tentunya memungkinkan DRAM dengan kapasitas yang lebih besar; kapasitas yang makin dibutuhkan untuk menjawab makin meningkatnya data yang perlu diproses di dunia. Selain itu, kepadatan yang lebih tinggi juga memungkinkan cip DRAM berkapasitas sama dibuat dengan mengambil lebih sedikit area pada wafer silikon; membolehkan lebih banyak cip DRAM untuk suatu wafer silikon. Alhasil memungkinkan keping DRAM dengan kapasitas besar makin terjangkau.
Seperti yang Infokomputer sampaikan di sini, IDC tahun lalu memprediksikan bahwa jumlah data yang yang diciptakan, ditangkap, direplikasi, dan dikonsumsi di dunia akan mencapai lebih dari 59 ZB pada tahun bersangkutan. Prediksi itu lebih tinggi dari prediksi tahun 2018 untuk tahun 2020 dimaksud yang sebesar 50 ZB. Dengan kata lain, tidak hanya data di dunia bertumbuh signifikan, tetapi belakangan lebih cepat dari yang diduga sebelumnya.
"Pencapaian node 1α ini mengonfirmasi keunggulan Micron pada DRAM dan merupakan hasil langsung dari komitmen tanpa henti Micron terhadap teknologi dan desain terdepan," ujar Scott DeBoer (Executive Vice President of Technology and Products, Micron). "Dengan suatu peningkatan 40% dalam kepadatan memori terhadap node 1z DRAM kami sebelumnya, kemajuan ini akan menciptakan suatu fondasi yang solid untuk inovasi produk dan memori masa depan," tambahnya.
Tak hanya menawarkan kepadatan yang lebih tinggi 40%, Micron juga menyebutkan DRAM dengan technology node 1α nm-nya menawarkan daya dan kinerja yang lebih baik dari DRAM dengan technology node 1z nm-nya. Khusus varian mobile alias varian untuk smartphone, Micron mengklaim DRAM dengan technology node 1α nm-nya bisa mengonsumsi daya lebih hemat 15% dibandingkan DRAM dengan technology node 1z nm-nya. Sementara, untuk kinerja, Micron tidak menyebutkan secara detail besarnya peningkatan kinerja yang ditawarkan DRAM dengan technology node baru itu.
Adapun kapasitas cip DRAM dengan technology node 1α nm yang ditawarkan Micron saat ini adalah dari 8 Gb sampai 16 Gb. Sebelumnya cip DRAM dengan technology node 1z nm dari Micron memang sudah mencapai 16 Gb, tetapi cip DRAM dengan technology node 1α nm berkapasitas lebih besar dari 16 Gb bisa menyusul di kemudian hari. Bila tidak pun, seperti telah disebutkan, kepadatan yang lebih tinggi memungkinkan biaya yang lebih terjangkau karena membolehkan lebih banyak cip DRAM untuk wafer silikon yang sama.