Kioxia Corporation dan Western Digital Corp. merilis hasil pengembangan teknologi memori flash 3D generasi keenam yang memiliki 162 lapisan.
Teknologi memori flash 3D generasi keenam ini diklaim mampu menghasilkan densitas tertinggi sepanjang sejarah perusahaan.
“Melalui kemitraan kami yang kuat dan telah berlangsung selama dua dekade ini, Kioxia dan Western Digital telah berhasil menciptakan kapabilitas yang tak tertandingi di bidang manufaktur dan R&D,” kata Masaki Momodomi (Chief Technology Officer, Kioxia).
Masami menambahkan, pihaknya bersama Western Digital telah menghasilkan lebih dari 30 persen bit memori flash dunia.
"Masing- masing dari kami berperan memberikan nilai tambah pada berbagai aplikasi yang berpusat pada data, mulai dari elektronik pribadi hingga pusat data, serta aplikasi baru yang menggunakan jaringan 5G, kecerdasan buatan, dan sistem otonom," ujar Masami.
Pada kesempatan yang sama, Siva Sivaram (Presiden Teknologi & Strategi, Western Digital) mengungkapkan bahwa kolaborasi bersama Kioxia berguna memenuhi permintaan data di dunia yang terus meningkat, demikian halnya pendekatan baru untuk penskalaan memori flash 3D menjadi sangat penting.
“Saat Hukum Moore mencapai batas fisiknya di seluruh industri semikonduktor, ada satu tempat di mana Hukum Moore melanjutkan relevansinya - hanya dalam sekejap,” kata Siva.
Melalui pembaharuan generasi ini, Kioxia dan Western Digital memperkenalkan inovasi dalam penskalaan vertikal dan lateral untuk mencapai kapasitas yang lebih besar, namun dalam cetakan yang lebih kecil dengan lapisan yang lebih sedikit.
Inovasi ini pada akhirnya diharapkan dapat memberikan kinerja, keandalan, dan efisiensi biaya sesuai kebutuhan pelanggan.
Memori flash 3D generasi keenam ini memiliki arsitektur yang lebih canggih dari memory hole, dengan susunan konviensional 8-stagger dan mencapai kepadatan sususan sel lateral hingga 10 persen lebih besar dibandingkan dengan teknologi generasi kelima.
Kemajuan penskalaan lateral ini, dikombinasikan dengan 162 lapisan memori vertikal yang ditumpuk, memungkinkan pengurangan ukuran cetakan sebesar 40 persen dibandingkan dengan teknologi penumpukan 112 lapisan, sehingga dapat mengefisiensikan biaya.
Tim Kioxia dan Western Digital juga menerapkan penempatan CMOS Circuit Under Array dan operasi empat mesin yang dapat memberikan peningkatan hampir 2,4 kali kinerja program dan peningkatan 10 persen dalam latensi baca dibandingkan dengan generasi sebelumnya.
Kinerja I/O juga meningkat sebanyak 66 persen, yang membuat generasi antarmuka berikutnya mendukung peningkatan permintaan akan kecepatan transfer yang lebih cepat.
Secara keseluruhan, teknologi memori flash 3D baru mengurangi biaya per bit, serta meningkatkan bit yang diproduksi per wafer hingga 70 persen, dibandingkan dengan generasi sebelumnya.