Samsung beberapa hari lalu mengumumkan secara global keberhasilannya mengembangkan technology node 8 nm untuk RF (radio frequency) alias frekuensi/gelombang radio. Dibandingkan technology node sebelumnya yang digunakan Samsung untuk RF, 14 nm, technology node 8 nm untuk RF yang dikembangkan Samsung tersebut diklaim menawarkan efisiensi daya yang lebih baik dan luas area yang lebih kecil.
Dengan technology node 8 nm bersangkutan, Samsung mengharapkan bisa menghadirkan suatu solusi cip tunggal, khususnya untuk komunikasi seluler 5G dengan dukungan terhadap multikanal dan multiantena. Cip tunggal maksudnya di sini adalah tidak perlu menggunakan cip berbeda. Spektrum frekuensi yang luas dari 5G, dari sub-6 GHz sampai mmWave, membutuhkan solusi RF yang "luas" pula. Tak jarang suatu perangkat seperti smartphone menggunakan cip-cip berbeda untuk keperluan 5G yang dimaksud.
"Melalui keunggulan dalam inovasi dan proses manufaktur, kami memperkuat tawaran-tawaran komunikasi nirkabel kami generasi berikutnya," ujar Hyung Jin Lee (Master of Foundry Technology Development Team, Samsung Electronics). "Sejalan dengan meluasnya 5G mmWave, Samsung 8 nm RF akan menjadi suatu solusi yang hebat untuk para konsumen yang mencari umur baterai yang panjang dan sinyal berkualitas sangat bagus pada berbagai perangkat mobile yang ringkas," tambahnya.
Seperti telah disebutkan, Samsung mengklaim technology node 8 nm untuk RF yang berhasil dikembangkannya menawarkan efisiensi daya yang lebih baik dan luas area yang lebih kecil dari sebelumnya. Secara spesifik, Samsung menyebutkan technology node 8 nm untuk RF-nya menawarkan efisiensi daya yang lebih baik sampai 35% dan luas area yang lebih kecil 35% dibandingkan technology node 14 nm untuk RF-nya.
Bagi Anda yang sering mengikuti perkembangan prosesor, technology node yang lebih kecil memang seiring kali menawarkan kedua peningkatan yang telah disebutkan. Namun, RF yang merupakan analog bukan digital, tidak selalu membuat technology node yang lebih kecil menghadirkan kedua peningkatan tadi. Salah satunya penyebabnya adalah parasitic seperti meningkatnya impedansi pada jalur yang lebih kecil.
Samsung pun mengembangkan suatu arsitektur khusus bagi technology node 8 nm untuk RF-nya itu. Samsung menamakannya dengan RFeFET (RFextremeFET). Samsung mengklaim RFeFET bisa meningkatkan karakteristik RF secara signifikan sembari mengunakan daya yang lebih sedikit. Samsung menambahkan bahwa RFeFET mengembalikan scaling dari RF dalam artian technology node.