Toshiba Memory Corporation dan Western Digital Corporation meresmikan pembukaan fasilitas fabrikasi semikonduktor canggih, Fab 6, dan Pusat R&D Memory yang beroperasi di Yokkaichi pada Prefektur Mie, Jepang.Toshiba Memory memulai pembangunan Fab 6, sebuah fasilitas yang didedikasikan untuk membuat fabrikasi 3D flash memory, pada Februari 2017. Toshiba Memory dan Western Digital telah menginstalasi peralatan manufaktur tercanggih untuk proses-proses produksi utama, termasuk deposition dan etching. Produksi masal dari 3D flash memory 96-layer yang memanfaatkan fasilitas fab baru ini telah dimulai sejak awal bulan ini.Permintaan memory 3D flash terus berkembang bagi server-server enterprise, pusat-pusat data dan smartphone, dan diharapkan akan terus meluas ditahun-tahun mendatang. Investasi lebih lanjut untuk mengembangkan produksi memori tersebut akan dibuat sejalan dengan tren-tren pasar. Pusat R&D Memory, terletak bersebelahan dengan Fab 6, mulai beroperasi sejak Maret tahun ini yang akan terus bereksplorasi dan mendorong kemajuan-kemajuan dalam pengembangan 3D flash memory.Toshiba Memory dan Western Digital akan terus mengembangkan dan memperluas kepemimpinannya pada bisnis memori dengan secara aktif mengembangkan berbagai inisiatif yang bertujuan untuk memperkuat tingkat kompetisi, mempercanggih pengembangan bersama 3D flash memory, dan membuat investasi-investasi modal berdasarkan tren pasar.
“Kami memproduksi 3D NAND 96-layer ini untuk menjawab berbagai kesempatan pada semua segmen pasar, dari konsumer dan aplikasi mobile hingga pusat-pusat data cloud. Fab 6 adalah fasilitas canggih yang akan membuat kami bisa untuk lebih jauh lagi menjadi pemimpin dalam hal teknologi di industri,” pungkasnya.