Intel mengumumkan sejumlah SSD barunya belum lama ini di dunia. SSD baru tersebut, sebagian ditujukan untuk data center dan sebagian lagi ditujukan untuk klien atau consumer. Dibandingkan SSD sebelumnya dari Intel untuk kelas yang setara, Intel mengklaim para SSD baru tersebut menawarkan kinerja yang lebih baik. Terdapat lima SSD baru yang diumumkan, yakni Intel Optane SSD P5800X, Intel Optane Memory H20, Intel SSD D7-P5510, Intel SSD D5-P5316, dan Intel SSD 670p. Intel Optane SSD P5800X dan Intel Optane Memory H20 menggunakan 3D XPoint, sedangkan Intel SSD D7-P5510, Intel SSD D5-P5316, dan Intel SSD 670p memanfaatkan NAND flash memory. Intel Optane Memory H20 pun tentunya memakai NAND flash memory selain 3D XPoint.
Dari kelima SSD yang diumumkan tersebut, Intel Optane SSD P5800X adalah yang menawarkan kienerja paling tinggi. Tak tanggung-tanggung, Intel mengklaim Optane SSD P5800X sebagai SSD data center tercepat di dunia. Dibandingkan Intel Optane SSD DC P4800X yang merupakan generasi sebelumnya, Intel Optane SSD P5800X diklaim menawarkan peningkatan kecepatan sebesar tiga kali untuk 4K random mixed, peningkatan bandwidth tiga kali untuk sequential, peningkatan 40% dalam QoS (quality of service), dan peningkatan 67% dalam daya tahan atau umur. Bahkan, Intel menyebutkan kinerja 4K random read dan 4K random write dari Optane SSD P5800X terhambat oleh antarmuka PCI Express 4.0 — versi PCI Express tertinggi yang lazim tersedia di pasar saat ini — yang digunakan.
Selain memakai antarmuka PCI Express 4.0 dan bukannya PCI Express 3.0 seperti sebelumnya, Intel Optane SSD P5800X menggunakan 3D XPoint dengan layer atau lapisan lebih banyak. Intel Optane media generasi ke-2 pada Intel Optane SSD P5800X memiliki empat layer. Intel Optane media generasi sebelumnya pada Intel Optane SSD DC P4800X memiliki hanya dua layer. Adapun kecepatan Optane SSD P5800X yang diklaim Intel bisa dilihat pada Gambar 1. Pilihan kapasitasnya adalah 400 GB; 800 GB; 1,6 TB; dan 3,2 TB, sedangkan form factor-nya adalah U.2. Intel Optane SSD DC P4800X sendiri memiliki pilihan kapasitas 375 GB; 750 GB; dan 1,5 TB. Intel menyebutkan bahwa Optane SSD P5800X telah memasuki produksi dan mulai dikapalkan.
Gambar 1. Kinerja dari Optane SSD P5800X menurut Intel. Kinerja 4K random mixed yang lebih tinggi dari 4K random read maupun random write karena PCI Express 4.0 bisa mengirimkan dan menerima data secara sekaligus melalui jalurnya sendiri-sendiri.
Berbeda dengan Intel Optane SSD P5800X, Intel Optane Memory H20, tepatnya Intel Optane Memory H20 with Solid State Storage, bukan ditujukan untuk data center melainkan untuk klien. Sebagai penerus Intel Optane Memory H10 with Solid State Storage yang hadir lebih dulu, Intel Optane Memory H20 with Solid State Storage juga menggunakan kombinasi 3D XPoint dan NAND flash memory. Intel Optane Memory H20 with Solid State Storage memiliki Intel Optane memory berkapasitas 32 GB dan Intel QLC 3D NAND flash memory dengan pilihan kapasitas 512 GB dan 1 TB. Ditargetkan hadir pada kuartal kedua 2021, Intel Optane Memory H20 with Solid State Storage diyakini akan memberikan kinerja yang lebih baik dan konsumsi daya yang lebih rendah. Intel Optane Memory H20 with Solid State Storage antara lain memanfaatkan Intel Optane media yang ditingkatkan dan Intel QLC 3D NAND flash memory dengan 144 layer dan bukannya 64 layer seperti sebelumnya.
TLC dan QLC
Sementara, ketiga SSD baru yang hanya memanfaatkan NAND flash memory tanpa 3D XPoint, menggunakan Intel TLC 3D NAND flash memory maupun Intel QLC 3D NAND flash memory. Yang memanfaatkan Intel TLC 3D NAND flash memory adalah Intel SSD D7-P5510, sedangkan yang memanfaatkan Intel QLC 3D NAND flash memory adalah Intel SSD D5-P5316 dan Intel SSD 670p.
Ditujukan untuk data center, khususnya untuk menyimpan hot data maupun untuk caching/acceleration media penyimpanan, Intel mengklaim SSD D7-P5510 sebagai SSD untuk data center pertama di pasar yang memanfaatkan TLC 3D NAND flash memory dengan 144 layer. Intel pun mengklaim SSD D7-P5510 menawarkan kinerja yang lebih tinggi dari SSD DC P4510 yang merupakan generasi sebelumnya. Tak hanya Intel TLC 3D NAND flash memory dengan 144 layer, kinerja Intel SSD D7-P5510 juga terbantu antarmuka PCI Express 4.0 yang digunakan. Intel SSD DC P4510 sendiri menggunakan Intel TLC 3D NAND flash memory dengan 64 layer dan antarmuka PCI Express 3.1.
Intel mengklaim SSD D7-P5510 menawarkan kinerja 4K random read dan 4K random write yang lebih tinggi sebesar lebih dari 40%, bandwidth sequential yang lebih tinggi sampai 118%, latensi rata-rata yang lebih singkat sampai 14%, dan daya tahan yang lebih baik sampai 17%; bila dibandingkan dengan SSD DC P4510. Selain itu, Intel SSD D7-P5510 juga menggunakan arsitektur TRIM baru yang mempersingkat waktu yang dibutuhkan sampai sekitar 100 kali lebih pendek dibandingkan abangnya itu. Kecepatan SSD D7-P5510 yang diklaim Intel bisa dilihat pada Gambar 2. Pilihan kapasitas Intel SSD D7-P5510 adalah 3,84 TB dan 7,68 TB, sedangkan form factor-nya adalah U.2. Intel SSD D7-P5510 tersedia pada kuartal keempat 2020 ini.
Gambar 2. Kinerja dari SSD D7-P5510 menurut Intel.
Meski sama-sama untuk data center, Intel SSD D5-P5316 diptujukan untuk menyimpan warm data dan bukannya hot data. Hal ini tentunya wajar mengingat QLC 3D NAND flash memory umumnya akan memberikan kinerja yang lebih rendah dibandingkan TLC 3D NAND flash memory yang setara. Dibandingkan SSD D5-P4326 yang merupakan generasi sebelumnya, Intel menyebutkan SSD D5-P5316 menawarkan kinerja 4K random read yang lebih tinggi sampai 38%, kecepatan 128K sequential read yang lebih tinggi sampai lebih 200%, dan daya tahan yang lebih baik sampai 400%.
Intel SSD D5-P5316 telah menggunakan Intel QLC 3D NAND flash memory dengan 144 layer dan PCI Express 4.0, sedangkan Intel SSD D5-P4326 memanfaatkan Intel QLC 3D NAND flash memory dengan 64 layer dan PCI Express 3.1. Intel memang mengklaim QLC 3D NAND flash memory dengan 144 layer-nya menawarkan kinerja yang lebih tinggi dan daya tahan yang jauh lebih baik dari QLC 3D NAND flash memory dengan 64 layer-nya. Intel SSD D5-P5316 memiliki pilihan kapasitas sampai 30,72 TB dengan form factor U.2 dan E1.L. Intel SSD D5-P5316 akan tersedia pada semester pertama 2021. Informasi mengenai kinerja SSD D5-P5316 menurut Intel bisa dilihat pada Gambar 3.
Gambar 2. Kinerja dari SSD D5-P5316 menurut Intel.
Adapun Intel SSD 670p merupakan generasi berikutnya dari Intel SSD 660p dan Intel SSD 665p. Intel SSD 670p menggunakan Intel QLC 3D NAND flash memory dengan 144 layer, sedangkan Intel SSD 660p memanfaatkan Intel QLC 3D NAND flash memory dengan 64 layer dan Intel SSD 665p memanfaatkan Intel QLC 3D NAND flash memory dengan 96 layer. Intel SSD 670p turut dilengkapi dengan controller generasi berikutnya. Intel mengklaim SSD 670p memiliki dynamic SLC caching yang lebih baik dari SSD 660p dan SSD 665p. Hal tersebut membuat Intel SSD 670p bisa menawarkan kinerja yang lebih baik tatkala mulai penuh menyimpan data. Namun, Intel tidak menyebutkan secara detail besarnya peningkatan kinerja penulisan yang ditawarkan. Intel SSD 670p memiliki pilihan kapasitas 512 GB, 1 TB, dan 2 TB, serta akan tersedia pada kuartal pertama 2021.