Find Us On Social Media :

Tantang TSMC, Samsung Bakal Genjot Produksi Chipset 4 nm Tahun Depan

By Adam Rizal, Selasa, 27 Desember 2022 | 15:00 WIB

Chip Samsung Exynos 9820

Samsung Electronics akan meningkatkan kapasitas produksi chip di pabrik semikonduktor terbesar di Korea Selatan mulai tahun depan.

Samsung akan menambah lempeng 12 inci untuk pembuatan chip memori DRAM di pabrik P3 di Pyeongtaek dan akan menambah kapasitas untuk chip 4 nanometer.

Samsung berencana menambah sekurang-kurangnya 10 mesin ultraviolet ekstrim tahun depan.

Pabrik P3 memproduksi chip memori NAND tahun ini sekaligus fasilitas terbesar Samsung saat ini seperti dikutip Reuters.

Sebelumnya, Samsung juga sempat mengatakan tidak akan berencana mengurangi produksi chip.

Berbeda dengan Micron Technology Inc, kompetitor Samsung dalam pembuatan chip, berencana mengurangi investasi mereka pada tahun fiskal 2023 antara 7 sampai 7,5 miliar dolar Amerika Seikat, dibandingkan dengan tahun fiskal 2022 sebesa 12 miliar dolar AS.

TSMC Genjot Chip 3 nm

Bocoran spesifikasi iPhone 14 Pro

Pabrikan semikonduktor terkemuka di dunia TSMC telah menerima pesanan produksi chipset canggih dengan fabrikasi 3nm dari Apple. Sayangnya, Apple tidak akan menyematkan chipset canggih 3nm itu ke HP flagship iPhone 14 series yang akan meluncur September.

Sebagai informasi, iPhone 14 series sendiri akan mengusung chipset A16 Bionic berbasis 4 nm untuk model iPhone 14 Pro dan iPhone 14 Pro Max. Sedangkan, varian dasar dan Max akan memakai chipset A15 Bionic berbasis 5 nm yang saat ini digunakan pada seri iPhone 13.

Ternyata, Apple memesan chip 3 nm terbaru itu untuk prosesor komputer PC M2 Pro. Sedangkan, iPhone dengan chip 3 nm pertama kali akan dipakai oleh iPhone 15 yang akan diluncurkan pada 2023 seperti dikutip Gizmochina.

Chipset 3nm milik TSMC itu menawarkan performa yang lebih dahsyat dan hemat energi karena memiliki jumlah transistor yang lebih tinggi. Menurut TSMC, chip FinFET 3 nm akan mengurangi konsumsi energi sebesar 35 hingga 30 persen sekaligus meningkatkan daya sebesar 10 hingga 15 persen dibandingkan dengan chip berbasis FinFET gen 5 nm sebelumnya.