Akhir Januari lalu, Samsung memperkenalkan teknologi chip memori embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 versi 1 TB yang ditanamkan di ponsel terbaru Galaxy S10 Plus.
Berselang satu bulan, Samsung meluncurkan chip memori eUFS 3.0 versi 512 GB yang diklaim 2 kali lebih cepat dari chip eUFS 2.1 di ponsel flagship tersebut, dengan kecepatan sequential read 2.100 MB per detik berbanding 1.000 MB per detik.
Kecepatan membaca eUFS 3.0 512 GB yang ditujukan untuk memori internal (storage) ponsel ini juga diklaim Samsung 4 kali lebih cepat dibandingkan media penyimpanan SATA SSD dan 20 kali lebih cepat dari kartu memori microSD.
Sementara untuk rating kecepatan sequential write, chip eUFS 3.0 mencatat 410 MB per detik, lebih cepat 50 persen dari eUFS 2.1 1TB (260 MB per detik). Adapun random read speed eUFS 3.0 bisa mencapai 63.000 IOPS (Input/Output Operations Per Second).
Sementara rating kecepatan random write speed mencapai 68.000 IOPS. Dengan kata lain, di sisi rating kecepatan membaca random IOPS, eUFS 3.0 512 GB lebih cepat 36 persen dari eUFS 2.1 1 TB (50.000 IOPS).
Dengan rating kecepatan membaca dan menulis demikian, maka ponsel dengan chip eUFS 3.0 ini bisa menjalankan beberapa aplikasi berat secara bersamaan, misalnya game dan aplikasi penyunting video, sambil menjaga ponsel tetap responsif terhadap input pengguna.
Transfer film beresolusi full HD (ukuran file 3,7 GB) dari ponsel ke komputer pun diklaim Samsung hanya membutuhkan waktu 3 detik.
Untuk ketersediaan, chip eUFS 3.0 versi 512 GB beserta versi 128 GB baru dimulai produksi masalnya akhir Februari lalu.
Sementara itu, eUFS 3.0 versi 256 GB dan 1 TB bakal diproduksi di sekitar akhir tahun 2019, sebagaimana dirangkum dari blog resmi Samsung.
| Source | : | Kompas.com |
| Penulis | : | Adam Rizal |
| Editor | : | Adam Rizal |
KOMENTAR