Samsung minggu lalu mengklaim berhasil mengembangkan teknologi 12-layer 3D-TSV (through silicon via) yang pertama di industri. Keberhasilan ini memungkinkan Samsung untuk menghadirkan DRAM (dynamic random access memory) HBM (High Bandwidth Memory) dengan kecepatan lebih tinggi dan kapasitas lebih besar dari DRAM HBM yang tersedia di pasar dunia sekarang. Pasalnya, DRAM HBM2 yang telah tersedia tersebut "hanya" menumpuk delapan cip/die DRAM dan bukannya dua belas. Menariknya lagi, ketebalan dari teknologi kemasan baru dengan dua belas lapisan itu disebutkan sama dengan teknologi kemasan sebelumnya yang delapan lapisan.
"Teknologi kemasan yang menjamin seluruh kerumitan dari memori berkinerja sangat tinggi makin menjadi sangat penting, dengan variasi yang luas dari aplikasi-aplikasi masa kini, seperti artificial intellgence (AI) dan High Power Computing (HPC)," sebut Hong-Joo Baek (Executive Vice President, Test & System Package, Samsung Electronics). "Sejalan dengan scaling dari hukum Moore yang mencapai batasannya, peranan dari teknololgi 3D-TSV diperkirakan makin menjadi sangat penting. Kami ingin menjadi yang terdepan di teknologi kemasan cip yang state-of-the-art ini," imbuhnya lagi.
Sekadar informasi, HBM antara lain digunakan pada "kartu grafis" tertentu, seperti AMD Radeon VII dan NVIDIA Tesla V100. Dibandingkan DRAM GDDR yang biasa digunakan pada kartu grafis, DRAM HBM diklaim menawarkan kinerja yang lebih tinggi dan konsumsi daya yang lebih rendah. Namun, biaya yang diperlukan untuk membuat DRAM HBM adalah lebih tinggi. Pasalnya DRAM HBM yang menumpuk secara vertikal (3D) beberapa cip/die DRAM menggunakan TSV untuk koneksinya. Membuat koneksi yang melalui beberapa cip/die atau silikon lebih sulit dari membuat koneksi terhadap beberapa cip yang tersebar secara horizontal alias plannar (2D).
Samsung sendiri mengklaim teknologi 12-layer 3D-TSV-nya itu menggunakan lebih dari 60.000 lubang TSV dengan setiap lubang berukuran 1/20 helai rambut manusia. Dibandingkan DRAM HMB2 yang umum tersedia di pasar, DRAM HBM menggunakan teknologi kemasan baru Samsung ini disebutkan bisa menawarkan kapasitas sampai tiga kalinya. Adapun kapasitas DRAM HBM yang sebentar lagi dimungkinkan hadir berkat teknologi 12-layer 3D-TSV tersebut adalah 24 GB. Namun, Samsung tidak menyebutkan informasi mengenai lebar jalur data dan kecepatan transfer per pin yang digunakan DRAM HBM dengan teknologi kemasan baru dengan ketebalan 720 ㎛ itu.
KOMENTAR