Melalui webcast bertajuk “Intel Accelerated” yang digelar secara global minggu lalu, Intel membagikan roadmap technology node alias peta jalan technology node-nya untuk beberapa tahun ke depan. Salah satu hal yang menarik adalah perubahan nama technology node yang digunakan Intel. Setelah Intel 10 nm SuperFin, Intel akan mengubah nama technology node-nya, tidak lagi menggunakan nama seperti yang disampaikan sebelumnya. Apa alasannya? Intel menyebutkan perubahan nama technology node yang dilakukan adalah agar technology node-nya yang akan datang lebih mudah dibandingkan dengan technology node dari perusahaan lain di industri alias dari kompetitornya.
Seperti yang InfoKomputer pernah sampaikan di sini, technology node alias process node antara perusahaan yang berbeda, kini tidak bisa dibandingkan secara langsung meski mengusung nama yang serupa. Dengan kata lain, saat ini, technology node 10 nm dari pabrik pembuatan semikonduktor perusahaan A tidak mesti serupa dengan technology node 10 nm dari pabrik pembuatan semikonduktor perusahaan B. Pasalnya, penamaan technology node, tepatnya angka yang digunakan, tidak lagi secara akurat merujuk pada feature size atau ukuran fitur transistor misalnya; dulu angka pada nama technology node yang digunakan suatu prosesor merujuk pada panjang dari gate alias gerbang dari transistor — FET (field effect transistor) — yang dikandung prosesor tersebut.
Ambil contoh Intel 10 nm yang dinilai berbagai pihak setara dengan TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) 7 nm. Dari sisi transistor density alias kepadatan transistor misalnya, mengutip WikiChip, Intel 10 nm memiliki kepadatan transistor sebesar 100,76 juta/mm2, sedangkan TSMC 7 nm memiliki kepadatan transistor sebesar 91,2 juta/mm2. Masih dari kepadatan transistor, Samsung 7 nm pun mempunyai kepadatan transistor yang sebanyak 95,08 juta/mm2. Setidaknya dari sisi kepadatan transistor, menurut WikiChip, Intel 10 nm justru lebih baik.
Pat Gelsinger (Chief Executive Officer, Intel) ketika membahas perubahan nama technology node Intel pada acara 'Intel Accelerated' beberapa waktu lalu.
Nama baru yang digunakan Intel untuk technology node-nya didasarkan pada parameter-parameter kunci yang ditawarkan technology node tersebut, seperti performa dan daya. Selain itu, Intel pun “mengikuti” penamaan technology node yang lazim di industri untuk parameter-parameter yang dimaksud. Jadi, nama technology node baru Intel lebih mudah dibandingkan dengan nama technology node kompetitornya yang memiliki angka yang sama, karena memiliki karakteristik yang lebih mendekati satu sama lainnya. Menjelaskan kepada masyarakat pada umumnya bahwa Intel 10 nm setara dengan TSMC 7 nm contohnya memang tidak mudah. Banyak yang masih beranggapan angka pada nama technology node dari suatu perusahaan pasti menunjukkan ukuran yang serupa dengan angka sama pada nama technology node dari perusahaan lain.
“Pada tahun 1997, sejalan dengan teknologi terus berkembang, inovasi-inovasi lain seperti strained silicon, selain sekadar mengurangi ukuran transistor, menjadi sama pentingnya untuk membuat mereka lebih cepat, lebih murah, dan lebih hemat energi. Di sinilah ketika pendekatan penamaan tradisional berhenti secara tepat menunjukkan ukuran dari gate transistor yang sebenarnya. Industri makin menyimpang lagi pada tahun 2011 mengikuti pengenalan kami akan FinFET,” ujar Pat Gelsinger (Chief Executive Officer, Intel). “Hari ini, aneka skema penamaan dan pemberian angka yang digunakan di industri, termasuk milik kami, tidak lagi merujuk pada pengukuran spesifik apa pun dan tidak menceritakan secara penuh mengenai bagaimana cara untuk mencapai keseimbangan terbaik antara daya, efisiensi, dan kinerja” tambah Pat Gelsinger sembari menekankan penamaan baru Intel didasarkan pada paramater-parameter teknis kunci yang penting bagi para konsumennya yakni kinerja, daya, dan area.