Melalui webcast bertajuk “Intel Accelerated” yang digelar secara global minggu lalu, Intel membagikan roadmap technology node alias peta jalan technology node-nya untuk beberapa tahun ke depan. Salah satu hal yang menarik adalah perubahan nama technology node yang digunakan Intel. Setelah Intel 10 nm SuperFin, Intel akan mengubah nama technology node-nya, tidak lagi menggunakan nama seperti yang disampaikan sebelumnya. Apa alasannya? Intel menyebutkan perubahan nama technology node yang dilakukan adalah agar technology node-nya yang akan datang lebih mudah dibandingkan dengan technology node dari perusahaan lain di industri alias dari kompetitornya.
Seperti yang InfoKomputer pernah sampaikan di sini, technology node alias process node antara perusahaan yang berbeda, kini tidak bisa dibandingkan secara langsung meski mengusung nama yang serupa. Dengan kata lain, saat ini, technology node 10 nm dari pabrik pembuatan semikonduktor perusahaan A tidak mesti serupa dengan technology node 10 nm dari pabrik pembuatan semikonduktor perusahaan B. Pasalnya, penamaan technology node, tepatnya angka yang digunakan, tidak lagi secara akurat merujuk pada feature size atau ukuran fitur transistor misalnya; dulu angka pada nama technology node yang digunakan suatu prosesor merujuk pada panjang dari gate alias gerbang dari transistor — FET (field effect transistor) — yang dikandung prosesor tersebut.
Ambil contoh Intel 10 nm yang dinilai berbagai pihak setara dengan TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) 7 nm. Dari sisi transistor density alias kepadatan transistor misalnya, mengutip WikiChip, Intel 10 nm memiliki kepadatan transistor sebesar 100,76 juta/mm2, sedangkan TSMC 7 nm memiliki kepadatan transistor sebesar 91,2 juta/mm2. Masih dari kepadatan transistor, Samsung 7 nm pun mempunyai kepadatan transistor yang sebanyak 95,08 juta/mm2. Setidaknya dari sisi kepadatan transistor, menurut WikiChip, Intel 10 nm justru lebih baik.
Nama baru yang digunakan Intel untuk technology node-nya didasarkan pada parameter-parameter kunci yang ditawarkan technology node tersebut, seperti performa dan daya. Selain itu, Intel pun “mengikuti” penamaan technology node yang lazim di industri untuk parameter-parameter yang dimaksud. Jadi, nama technology node baru Intel lebih mudah dibandingkan dengan nama technology node kompetitornya yang memiliki angka yang sama, karena memiliki karakteristik yang lebih mendekati satu sama lainnya. Menjelaskan kepada masyarakat pada umumnya bahwa Intel 10 nm setara dengan TSMC 7 nm contohnya memang tidak mudah. Banyak yang masih beranggapan angka pada nama technology node dari suatu perusahaan pasti menunjukkan ukuran yang serupa dengan angka sama pada nama technology node dari perusahaan lain.
“Pada tahun 1997, sejalan dengan teknologi terus berkembang, inovasi-inovasi lain seperti strained silicon, selain sekadar mengurangi ukuran transistor, menjadi sama pentingnya untuk membuat mereka lebih cepat, lebih murah, dan lebih hemat energi. Di sinilah ketika pendekatan penamaan tradisional berhenti secara tepat menunjukkan ukuran dari gate transistor yang sebenarnya. Industri makin menyimpang lagi pada tahun 2011 mengikuti pengenalan kami akan FinFET,” ujar Pat Gelsinger (Chief Executive Officer, Intel). “Hari ini, aneka skema penamaan dan pemberian angka yang digunakan di industri, termasuk milik kami, tidak lagi merujuk pada pengukuran spesifik apa pun dan tidak menceritakan secara penuh mengenai bagaimana cara untuk mencapai keseimbangan terbaik antara daya, efisiensi, dan kinerja” tambah Pat Gelsinger sembari menekankan penamaan baru Intel didasarkan pada paramater-parameter teknis kunci yang penting bagi para konsumennya yakni kinerja, daya, dan area.
Adapun perubahan nama technology node yang dilakukan adalah Intel 10 nm Enhanced SuperFin menjadi Intel 7, serta Intel 7 nm menjadi Intel 4. Setelah Intel 4 akan hadir Intel 3, Intel 20A, serta Intel 18A. Intel pun tidak lagi menggunakan embel-embel nm alias nanometer pada penamaan technology node-nya. Sementara A pada Intel 20A dan Intel 18A merujuk pada angstrom, meski pada penamaan yang digunakan Intel hanya dibaca dengan A bukan angstrom. Angstrom adalah ukuran yang lebih kecil dari nanometer; 20 angstrom adalah 2 nanometer.
“Kami sebelumnya merujuk node ini sebagai Enhanced SuperFin. Kami mengharapkan suatu peningkatan performa per watt sekitar 10% sampai 15% dari 10 nm SuperFin sejalan dengan kami mengevolusi node tersebut dengan aneka optimasi tingkat transistor tambahan. Ini ekuivalen dengan peningkatan performa yang ditawarkan suatu node penuh. Oleh kerena itu, kami percaya bahwa Intel 7 adalah nama yang sesuai untuk membantu para konsumen kami mengerti performa kompetitif seperti apa yang dihantarkan oleh node bersangkutan,” jelas Dr. Ann Kelleher (Senior Vice President and General Manager of Technology Development, Intel).
Selain technology node, pada webcast yang sama Intel juga membagikan roadmap mengenai packaging alias kemasannya. Intel membagikan informasi mengenai EMIB (embedded multi-die interconnect bridge) dan Foveros generasi berikutnya. Seperti technology node generasi berikutnya, packaging generasi berikut itu juga diklaim menawarkan performa yang lebih baik. Adapun lini masa dari technology node yang dipersiapkan Intel untuk beberapa tahun ke depan berdasarkan roadmap yang dibagikannya, adalah seperti berikut ini.
1. Intel 7
Intel 7 adalah nama baru dari Intel 10 nm Enhanced SuperFin. Intel memperkirakan Intel 7 akan menawarkan peningkatan sekitar 10% sampai 15% dibandingkan Intel 10 nm SuperFin dari sisi performa per watt. Produk dengan Intel 7 diharapkan akan mulai tersedia di pasar pada tahun 2021 ini melalui prosesor dengan codename Intel Alder Lake alias Intel Core Generasi berikutnya. Intel 7 juga akan digunakan pada prosesor dengan codename Intel Sapphire Rapids alias Intel Xeon Scalable Generasi berikutnya. Intel Sapphire Rapids sendiri akan diproduksi pada kuartal pertama tahun 2022.
2. Intel 4
Intel menyebutkan produk dengan Intel 4 akan mulai diproduksi pada semester kedua 2022. Namun, produk dengan technology node tersebut baru akan dikapalkan pada tahun 2023. Dengan kata lain, bila semuanya sesuai rencana, produk dengan Intel 4 bisa dibeli pada tahun 2023. Pada Intel 4, Intel akan menggunakan EUV (extreme ultraviolet) lithography secara penuh dan memprediksikan peningkatan performa per watt sekitar 20% dari Intel 7. Adapun produknya adalah prosesor dengan codename Intel Meteor Lake dan prosesor dengan codename Intel Granite Rapids. Intel Meteor Lake adalah untuk klien, sedangkan Intel Granite Rapids untuk pusat data.
3. Intel 3
Intel menargetkan Intel 3 untuk mulai digunakan pada tahun 2023. Produk dengan Intel 3 akan mulai diproduksi pada semeseter kedua tahun 2023. Namun, Intel tidak menyebutkan codename dari produk yang akan menggunakan technology node itu dan kapan pengapalannya dimulai. Intel menegaskan pula akan tetap menggunakan FinFET pada Intel 3 dan belum beralih ke GAAFET (gate-all-around FET). Adapun estimasi peningkatan performa per watt-nya adalah sekitar 18% dibandingkan Intel 4.
4. Intel 20A
Pada Intel 20A, Intel akan beralih menggunakan GAAFET yang disebutnya dengan RibbonFET. Intel mengeklaim Intel 20A merupakan technology node yang menandai perubahan yang signifikan berkat penggunaan GAAFET bersangkuatan plus inovasi yang disebut PowerVia. Gate pada GAAFET, seperti namanya, mengelilingi seluruh sisi dari bagian yang menjadi kanal untuk elektron mengalir pada FET. Dibandingkan FinFET, GAAFET diyakini lebih mumpuni untuk ukuran transistor yang makin kecil. Sementara, PowerVia adalah penghantaran daya melalui sisi bawah/belakang untuk meningkatkan kemampuan penghantaran daya tersebut. Intel merencanakan produk dengan Intel 4 akan mulai diproduksi pada tahun 2024. Namun, Intel tidak menyebutkan codename dari produknya dan waktu pengapalannya.
5. Intel 18A
Tidak banyak yang dibagikan Intel mengenai Intel 18A. Intel menyebutkan Intel 18A akan melakukan perbaikan sehubungan RibbonFET. Intel menambahkan bahwa Intel 18A sudah dalam pengembangan dan ditargetkan mulai dimanfaatkan pada tahun 2025.
KOMENTAR