Salah satu pabrik TSMC sekarang sedang mengerjakan cara untuk menurunkan simpul proses menjadi 1 nm. Bulan lalu, Samsung Foundry mengumumkan peta jalan untuk produksi chipnya yang akan beralih dari node proses 3nm tahun ini menjadi 2nm pada tahun 2025.
Pada 2027, Samsung Foundry mengatakan akan memproduksi chip menggunakan node proses 1,4nm. Intel mengumumkan tahun lalu bahwa teknologi baru akan memungkinkannya bersaing untuk kepemimpinan proses pada tahun 2025 dengan TSMC dan Samsung.
Masalah yang dihadapi perusahaan seperti TSMC, Samsung Foundry, dan Intel adalah bagaimana membuat transistor menjadi lebih kecil.
Seluruh prosesnya sangat kompleks. Selama beberapa tahun terakhir, TSMC dan Samsung Foundry telah menggunakan transistor FinFET (Fin-Shaped Field Effect). Sementara Samsung tahun ini mulai menggunakan transistor Gate-All-Around (GAA).
Transistor GAA dapat membuat gerbang bersentuhan dengan keempat sisi saluran transistor untuk memberikan kontrol lebih besar atas aliran arus (transistor FinFET hanya menutupi tiga sisi saluran) dengan mengganti sirip vertikal dengan tumpukan horizontal dari apa yang disebut nanosheet.
Transistor GAA, yang dirancang pertama kali oleh Samsung, dapat membantu mengurangi ukuran transistor dan meningkatkan kerapatan transistor yang memungkinkan lebih banyak transistor di dalam sebuah chip.
Chip GAA juga memungkinkan saluran diperlebar di dalam komponen yang memungkinkan chip menjadi lebih cepat. Ini juga akan membantu mendorong chip yang lebih hemat daya. Perlu diingat bahwa TSMC tetap menggunakan FinFET untuk produksi 3nm dan akan menggunakan GAA ketika chip 2nm mulai diluncurkan. Samsung sudah menggunakan GAA pada komponen 3nm-nya.
| Penulis | : | Adam Rizal |
| Editor | : | Adam Rizal |
KOMENTAR